10月23日收盘，长鑫科技（688825.SH）涨7.93%，市值2.91万亿元，市值增加2138亿元。虽然仍排A股市值榜第三，市值尚未回到3万亿元以上，但已是近段时间股价呈现颓势后的明显反弹。
消息面上，尽管过去一周多只内存股因供过于求、需求疲软的担忧而遭遇抛售，但当地时间10月22日，英伟达CEO黄仁勋在德国接受采访时表示，2029年内存供应过剩的可能性不大。他表示，内存总能越用越多，HBM（高带宽内存）未来多年都会被使用。
英伟达的内存供应商包括三星电子、SK海力士和美光科技。对于是否计划与长鑫科技合作，黄仁勋表示，英伟达持开放态度，公司与中国企业合作，几乎全世界的供应链都在与中国公司合作。他还点评，中国在基础设施技术方面的表现非常出色。
除了黄仁勋的表态，近日高盛还在一份研报中表示，长鑫科技披露的第三季度营收预测中位数，比该机构此前的预测高出30%，净利润预测中位数比该机构此前的预期高出17%，原因是AI带动DRAM（动态随机存取存储器）需求强劲、客户分散供应来源、DRAM价格维持高位。高盛将长鑫科技的目标价由129元微调至130元。
在此之前，9月22日至10月22日，长鑫科技股价在一个月内跌去30.2%，市值蒸发超1.2万亿元。
根据长鑫科技本月早些时候的公告，该公司预计前三季度营收2650亿元至2700亿元，同比增长726%~741.5%，净利润1310亿元至1325亿元，同比扭亏。第三季度长鑫科技预计营收1146.9亿元~1196.9亿元，同比增长589%~619%，净利润533.95亿元~548.95亿元。
长鑫科技近两个月多次更新了技术及产品研发进展，包括8月底最新一代低功耗内存LPDDR6量产、9月第五代DRAM技术平台（G5）量产、10月宣布将于年底推出采用4F² DRAM架构的新一代DDR5 RDIMM产品。
长鑫科技的4F²架构在海外受到关注，该架构据称单位面积晶体管数量可比目前主流的6F²架构更多，且一定程度摆脱了工艺瓶颈。不过，业内对于4F²架构的实际可行性存在意见分歧。
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